Túto spínaciu súčiastku si môžeme predstaviť ako dve antiparalelné
zapojené Shockleyho diódy.
Diak môžeme zopnúť prekročením blokovacieho napätia
UB0 (Break - Over Voltage) a keďže ide o protismerné
zapojenie diód, môžeme spínať ako kladné, tak aj záporné polarity. Štruktúra
diaku môže byť trojvrstvová, alebo päťvrstvová. V prvom prípade je vždy
jeden PN priechod polarizovaný priepustne a druhy záverne. Po dosiahnutí
hodnoty UB0 dochádza k nárazovej onizácii lavínový
jav, čo znamená nárast prúdu na záverne polarizovanom prechode. Prierazné
napätie sa pohybuje medzi 20 - 40 V, pričom stratový výkon je maximálne
300 mW. Z týchto hodnôt vyplýva, že sa jedná o súčiastku pre malé výkonové
obvody.Oblasť záporného diferenciálneho odporu po prekročení UB0
existuje pretože s narastajúcim prúdom nosiče viac a viac zaplavujú záverne
polarizovaný prechode, čím dochádza k zníženiu celkového odporu diaku,
na ktorom poklesne aj úbytok napätia. Na obr. 8.2 máme znázornenú päťvrstvovú
štruktúru a jedná sa o antiparalelelné zapojenie dvoch tyristorov bez
riadiacich elektród realizované ako jedná súčiastka. K zopnutiu dochádza
po prekročení blokovacieho napätia rovnako ako u tyristorov. Preto nastáva
latch-up viditeľný z V-A charakteristík. V tomto prípade je typická hodnota
UB0 30V - 50V.
Triak je viacvrstvová spínacia súčiastka, ktorá dokáže
efektívnejšie ovládať obidve polvlny pri striedavom napätí. Základnej
štruktúry je vidno, že je tvorená dvoma antiparalelne zapojenými tyristormi
so spoločnou riadiacou elektródou G. Preto je táto súčiastka schopná spínať
pri oboch polaritách anódového (UA2A1) aj riadiaceho
napätia (UGA1), a z tohto dôvodu existujú štyri možné
kombinácie UA2A1 a UGA1, pri
ktorých triak zopne prúdom do riadiacej elektródy.
Pre dané polarity medzi anódami je za podmienok:
Vždy
jeden z tyristorov je v závernom a druhý v blokovacom režime. Všetky kombinácie
využívajú injekciu elektrónov do strednej oblasti N, ktorá potom spôsobí
zopnutie tyristora, ktorý je v blokovacom režime (je to dané polaritou
UA2A1). Pre lepšie pochopenie napr. ak UGA1
> 0 a zároveň UA2A1 > 0 (svorka A1
má potenciál 0 V a A2 má kladný potenciál) môžeme
triak zopnúť principiálne ako tyristor a to zopnutím oblasti triaku zodpovedajúceho
tyristoru Ty1. Elektróny injektované prechodom G
- A1 (prechod P - N+ hore vľavo)
prejdú do strednej oblasti N (červená šípka, obr. 8.5), čím spôsobia
injekciu dier z anódy vedúcu na latch-up.
Triak vypíname prirodzenou komutáciou ako tyristor.
K obnoveniu blokovacej schopnosti preto dôjde, až keď náboj uložený v
štruktúre zanikne. Ak by sme triak používali pri vysokých frekvenciách
, tak náboj uložený napríklad v Ty1 by sa dostal
do Ty2 a pri komutácii napätí by spôsobil nežiaduce
zopnutie Ty2 dokonca aj pri IG
= 0. Preto je frekvenčná oblasť triakov omnoho menšia ako u tyristorov
a obmedzuje sa prakticky na 50 Hz. V praxi sa požíva ako náhrada mechanického
relé. Aplikačne výhodné je aj použitie triaku s optickým spínaním v jednom
puzdre (Triac Photocoupler) za účelom galvanického oddelenia riadiacich
obvodov [1].
Tyristory sú viacvrstvové bipolárne súčiastky, ktoré vykazujú
bistabilné regeneratívne
spínacie charakteristiky. To znamená, že prepnutie z vypnutého do
zopnutého stavu sa prevádza prúdovým impulzom do riadiacej elektródy,
pričom po zopnutí tyristora ostáva v zopnutom stave. To predstavuje zásadný
rozdiel oproti bipolárnemu tranzistoru, u ktorého je potrebné pre udržanie
v zopnutom stave trvale udržiavať prúd do bázy. Preto majú tyristory schopnosť
ovládať veľké výkony relatívne jednoduchým riadiacim obvodom s malým príkonom.
Keďže všetko sú to bipolárne súčiastky, ich veľkou prednosťou je veľká
výkonová zaťažiteľnosť [1].
Z
obrázku schémy je ľahko rozpoznateľné, že štvorvrstvová štruktúra blokuje
elektrický signál obidvoch polarít. Záporné napätie na anóde oproti katóde
nachádza sa tyristor v závernom režime. Prechody J1
a J3 zapojené do série sú polarizované záverne. Prechod
J2 priepustne. Rovnako ako u tranzistorov je potrebné,
aby aj u tyristorov boli všetky prechody vytvorené na jednom monokryštále
polovodiča. Ak má byť funkcia tyristora správna, musia byť všetky prechody
vzájomne paralelné a v presne definovaných vzdialenostiach od seba. Parametre
vrstiev tvoriacich prechod J1 sú volené tak, aby
bolo dosiahnuté požadované prierazné napätie. Prechod J3
má prierazné napätie do 5 V. Pri prekročení maximálneho záverného opakovateľného
napätia URRM dochádza k ionizácii (lavínovému javu)
prechodu J1 a narastá prúd. Na závernej charakteristike vzniká koleno.
Napätie URRM je medzní parameter (je obdobne definovaný
ako u diódy) a nesmie byť prekročení.
Spínanie tyristoru:
Ak je na anóde kladné napätie oproti anóde o hodnote UA < UB0 a do riadiacej elektródy netečie prúd (IG = 0), nachádza sa tyristor v blokovacom režime a anódový prúd IA je zanedbateľný. Prechody J1 a J3 sú polarizované priepustne a prechod J2 záverne. Z čoho jasne vyplýva, že prúd je blokovaný prechodom J2, ktorý sa označuje ako aj blokovací prechod. Ak dosiahne anódové napätie Ua hodnotu blokovacieho napätia UB0, dochádza k lavínovému prierazu prechodu J2 a prúd Ia narastá. Elektróny ktoré vzniknú nárazovou ionizáciou sú následne elektrickým poľom unášané smerom k prechodu J1, kde sa týmto dôsledkom poruší nábojová polarita. Tá je potom obnovená injekciou kladných dier z anódového emitora do bázy N, ktorá kompenzuje tento záporný náboj elektrónov. Diery, ktoré vznikli narazovou ionizáciou na prechode J2 sa vplyvom elektrického poľa pohybujú k prechodu J3, kde spôsobia injekciu elektrónov do bazy P. Tieto elektróny a diery môžu ľahko prekonať blokovací prechod J2, pretože sa pohybujú v smere poklesu energie obr. 4.8.5 - blokovací režim. Prechod J2 je takto zaplavený a znižuje sa jeho polarizácia. Spoločné zaplavenie oboch báz spolu s blokovacím prechodom má za následok zvýšenie vodivosti tyristora.
Injekcia elektrónov z katódového emitora podporuje injekcia dier z anódového emitora a naopak. Takto vzniká kladná spätná väzba .Tento postup spínania je zdĺhavý, nepohodlný a čo je hlavnou nevýhodou je veľmi ťažko ovládateľný, pretože hodnota blokovacieho napätia UB0 (Break - Over Voltage) je veľká a jej hodnotu nepoznáme, taktiež spínanie prekročením hodnoty dUac/dt je nežiadúce. Preto môžeme použiť prekročením hodnoty IG , alebo spínanie svetlom .
Vypnutie tyristora znamená prerušenie kladnej spätnej väzby. Sú tri možnosti ako to realizovať:
a) Prirodzená komutácia v obvodoch striedavého napätia
V obvodoch jednosmerného napájacieho napätia je možné
tyristor vypnúť jedine nútenou komutáciou. V praxi sa väčšinou praktizuje
tak, že sa paralelne k tyristoru pripája kapacitor s polaritou napätia zaisťujúce
závernú polarizáciu tyristora. Kapacitor najprv spôsobí zotavenie tyristora,
pričom sa odvádza náboj z okolia prechodov J1 a J3,
ktoré zaplavil v zopnutom stave. To sa prejaví pretečením záporného prúdu
po dobu záverného zotavenia trr, ktorá je definovaná
ako u diód.
Potom sa kapacitor prebije na opačnú polaritu rýchlosťou danou hodnotou kapacity a vnútorným obvodom. V tejto fáze je tyristor ešte stále zaplavený dostatočne veľkým nábojom v okolí blokovacieho prechodu a svoju blokovaciu schopnosť obnoví až keď je tento náboj odvedený. Do tejto doby naňho nemôžeme priviesť kladné napätie, pretože by sa ešte mohol zopnúť. Nadbytočný náboj zaniká jedine rekombináciou elektrónov a dier bez pomoci vnútorného obvodu, čo sa deje pomaly. Obnovenie blokovacej schopnosti preto nastane v čase vypnutia tq, ktorý je niekoľkokrát dlhší ako trr a v závislosti na veľkosti tyristora a ďalších parametrov čo môže trvať niekoľko s. Parameter tq je pre daný prúd tyristora v zopnutom stave, teplotu a strmosť komutačného napätia du/dt uvedený v katalógu.
b) Nútená komutácia v obvodoch jednosmerného napätia
Klasický tyristor nemá žiadne vlastné prostriedky k vypnutiu
anódového prúdu Ia. V obvodoch, ktoré sú napájané striedavým napätím však môže
dôjsť k vypnutiu poklesom prúdu Ia pod hodnotu IH zmenou polarity vstupného
napätia Ua anódového obvodu na konci polperiódy sínusového priebehu napätia.
Nastáva tak prirodzená komutácia napätia UAC. Na obr. 1 a) je tyristor spínaný
prúdom do riadiacej elektródy na začiatku každej kladnej polvlny napätie Ua, ako náhle
má toto napätie dostatočne veľkú hodnotu (ON).
Spínací prúd pretečie cez rezistorry RZ ,Rg a diódu D do riadiacej elektródy. Na konci polperiódy poklesne napätie zdroja na nulu a s ním aj prúd Ia (OFF). Tyristor prejde do záverného smeru, v ktorom sa už svojvoľne nezapne. Prechid J3 je nutné chrániť proti prierazu diódou D s URRM > Ua. Na obr.8.8 b) je časový okamih zopnutia tyristora zvolený hodnotou časovej konštanty (RZ + Rg).C, ktorú môžeme zmeniť pomocou potenciometra Rg. K zopnutiu dôjde až keď bude kapacitor C nabitý na napätie UGC + UD. Napätie UGC je úbytok napätia na dióde D s typickou hodnotou 0,7 V. Pri spínaní dôjde k vybitiu kapacitora. Tyristor je zopnutý až do poklesu Ia pod hodnotu IH na konci polperiódy (OFF). Pred zopnutím bolo na tyristore plné napätie zdroja Ua. Po zopnutí je toto napätie na záťaži až na úbytok napätia na tyristore, ktoré je 1,7 V až 2,5 V. Zmenou hodnoty odporu potenciometrom Rg čo má za následok zmenu časového okamžiku (fázu) zopnutia a tým aj priemernú hodnotu výkonu na záťaži za periódu. V takomto prípade hovoríme o riadení výkonu.
c) Použitie
vypínacieho tyristora GTO (Gate Turn-Off ) namiesto klasického tyristora.
V oblasti do 600 V sa používajú na spínanie klasické tranzistory
DMOS. Ich nevýhodou je, že nad 600 V majú DMOS tranzistoru vysoký RDSON
odpor, čo môžeme vyriešiť zapojením niekoľkých tranzistorov paralelne,
čo je ale neefektívne (cenovo). Vysoký odpor RDSON
Zníženie tohto odporu môžeme dosiahnuť zvýšením vodivosti
tejto vrstvy injekciou dier z oblasti P (obr. 4.8.10 červené šípky)
tvoriaci P-N prechod J 1
, ktorý je oproti DMOSu na viac. Takto upravený tranzistor nazývame
IGBT. Tento typ tranzistora využíva princíp unipolárnej vodivosti, ale
aj princíp bipolárny. Takto dostávame kombinovanú súčiastku Bipolar-Mos,
resp. BiMOS. Tu je dosiahnuté to, že RDSON má menšiu
hodnotu pri prieraznom napätí v rade niekoľko stoviek voltov až jednotiek
kV. V snahe o analógiu s bipolárnym tranzistorom boli elektródy pôvodne
označené ako emitor, kolektor a hradlo. Toto označenie je však konfliktné
s princípom činnosti IGBT. Kolektor vo skutočnosti tvorí emitor P+
tranzistora PNP obr. 4.8.10 (v rámčeku), do jeho bázy N tečie prúd
elektrónov z kanála riadiacej štruktúry MOS daný hodnotou UGE.
Už spomínaný prúd elektrónov vyvoláva injekciu dier z emitora P+.
Odpor kontaktu emitora, ktorý je skratovaný prechodom jama P - emitor
N+ a je označený ako RS. Jeho
hodnota musí byť čo najmenšia, aby nemohol byť zopnutý parazitný tranzistor
NPN. Tranzistory PNP a NPN dohromady vytvárajú parazitný tyristor P+NPN+.
Latch-up, by znamenalo stratu schopnosti riadiť IGBT napätím UGE.