Existencia prechodu J₁ znamená schopnosť IGBT blokovať prietok prúdu v závernom smere (U_GE < 0) až do vysokých hodnôt prierazného napätia. V priepustnom smere spôsobuje prechod J₁ existenciu kolena na V-A charakteristikách v okolí počiatku a tým aj väčší úbytok napätia oproti DMOSu. Aj napriek tomu pri veľkých prúdoch bude úbytok napätia IGBT oproti DMOSu menší. Pre U_GE < U_T, kde neexistuje vodivý kanál, je prietok prúdu blokovaný záverne polarizovaným prechodom J₂.

<<<Späť