Adresa sa privádza v tvare k-bitového slova na adresné vstupy A₀, A₁, A₂. Dekodér prevádza adresu z binárneho kódu na kód A až H. Vybudením jedného adresovacieho vodiča sa na všetky dátové vodiče prenáša zapísané príslušné kódové slovo, uložené na danej adrese.

Okrem polovodičových pamätí ROM, u ktorých je prvotný zápis informácie vykonaný už pri výrobe pamäti (poslednou technologickou maskou), existujú aj používateľom programovateľné polovodičové pamäte PROM, EPROM, EEPROM, Flash. [1][2][4]

15.3 Pamäte RAM

SRAM

Pamäte SRAM (Static Random Access Memory) uchovávajú informáciu v sebe uloženú po celú dobu, ktorú sú pripojené ku zdroju elektrického napájania. Pamäťová bunka SRAM je realizovaná ako bistabilný klopný obvod tj. obvod ktorý sa môže nachádzať v jednom z dvoch stavov, ktoré určujú či je v pamäti uložená 1 alebo 0.

Obr.15.6 Realizácia jednej bunky SRAM v technológii MOS

U SRAM pamätí sa používajú dva dátové vodiče. Vodič dáta je určený pre zápis do pamäti. Vodič označený ako /dáta sa používa na čítanie. Hodnota na tomto vodiči je vždy opačná ako hodnota uložená v pamäti. Preto na konci je nutné ju ešte negovať. Tranzistory T₅ a T₆ plnia funkciu rezistorov. Pri zápise sa na adresový vodič umiestni hodnota logická 1. Tranzistory T₁ a T₂ sa otvoria. Na vodič dáta sa privedie zapisovaná hodnota (napr. 1). Tranzistor T₁ je otvorený, takže jednička na vodiči dáta otvorí tranzistor T₄ a týmto dôjde k uzavretiu tranzistoru T₃. Tento stav obvodu predstavuje uloženie hodnoty 0 do pamäti. Plne analogicky táto bunka pracuje aj pri zápise hodnoty 1. Rozdiel je iba v tom, že tranzistor T₄ zostane zavretý a to spôsobí otvorenie tranzistoru T₃. Pri čítaní je opäť na adresový vodič privedená hodnota logická 1, čo opäť spôsobí otvorenie tranzistorov T₁ a T₂. Ak bola v pamäti zapísaná hodnota 1, je tranzistor T₄ otvorený (tj. na jeho výstupe je hodnota 0). Túto hodnotu obdržíme na vodiči /dáta. Opäť úplne analogicky v prípade uloženej hodnoty 0, kedy tranzistor T₄ je zavretý (tj. na jeho výstupe je hodnota 1). Pamäte SRAM je možné uskutočniť aj v technológii TTL. Bunka takejto pamäti pracuje na princípe podobnom ako bunka v technológii MOS. Pamäte SRAM sú výhodné práve pre svoju nízku prístupovú dobu. Ich nevýhodou je naopak vyššia zložitosť a z toho plynúce vyššie výrobné náklady. V súčasnej dobe sú pamäte SRAM používané predovšetkým pre realizáciu pamätí typu cache, ktorých kapacita je v porovnaní s operačnou pamäťou niekoľkonásobne nižšia.


DRAM

V pamäti DRAM je informácia uložená pomocou elektrického náboja na kondenzátore. Tento náboj má však tendenciu vybíjať sa aj v dobe, keď je pamäť pripojená ku zdroju elektrického napájania. Aby nedošlo k tomuto vybitiu a tým aj k strate uloženej informácie, je nutné periodicky vykonávať tzv. refresh, tj. oživovanie pamäťovej bunky. Túto funkciu plní niektorý z obvodov čipovej sady.

Obr.15.7 Realizácia jednej bunky pamäte DRAM

Pri zápise sa na adresový vodič privedie hodnota logická 1. Tým sa tranzistor T otvorí. Na dátovom vodiči je umiestnená zapisovaná hodnota (napr. 1). Táto hodnota prejde cez otvorený tranzistor a nabije kondenzátor. V prípade zápisu nuly dôjde len k prípadnému vybitiu kondenzátora (pokiaľ bola v pamäti skôr uložená hodnota 1). Pri čítaní je na adresový vodič privedená hodnota logická 1, ktorá spôsobí otvorenie tranzistora T. Ak bol kondenzátor nabitý, zapísaná hodnota prejde na dátový vodič. Týmto čítaním však dôjde k vybitiu kondenzátora a zničeniu uloženej informácie. Ide teda o bunku, ktorá je deštruktívna pri čítaní a prečítanú hodnotu je nutné opäť do pamäti zapísať. Bunka pamäti DRAM je veľmi jednoduchá a dovoľuje vysokú integráciu a nízke výrobné náklady. Vďaka týmto vlastnostiam je používaná k výrobe operačných pamätí. Jej nevýhodou je však vyššia prístupová doba spôsobená nutnosťou robiť refresh a časom potrebným k nabitiu a vybitiu kondenzátora. [1]

Obsah>>>