Pamäti typu EEPROM (Electrically EPROM) má podobné vlastnosti ako pamäť EPROM, tj. jedná sa o statickú energeticky nezávislú pamäť, ktorú je možné naprogramovať a neskôr z nej informácie vymazať. Výhodou oproti EPROM pamätiam je, že vymazanie sa prevádza elektricky a nie pomocou UV žiarenia, čím odpadá nepohodlná manipulácia s pamäťou pri jej mazaní. Pri výrobe pamätí EEPROM sa používa špeciálnych tranzistorov vyrobených technológiou MNOS. Jedná sa o tranzistory, na ktorých riadiacej elektróde je nanesená vrstva nitridu kremíka (Si₃N₄) a pod ňou je umiestnená tenká vrstva oxidu kremičitého (SiO₂). Vlastná bunka pamäti EEPROM potom pracuje na princípe vkladania elektrického náboja na prechod týchto dvoch vrstiev.