Oblasť kanála je tvorená nízko dotovaným polovodičom tak, aby s kovovou vrstvou hradla G vytvorila Schottkyho diódu.
Záverná polarizácia tejto diódy znamená rozšírenie OPN smerom do kanálu a možnosť modulácie vodivosti kanála .
Dostávame tzv. normally –ON tranzistor.