Priložením napätia v priepustnom smere dôjde k injekcii elekrónov z polovodiča N do P a dier P do N.
Väčšina dier a elektrónov rekombinuje na vzdialenosti difúznej dĺžky. Uvoľnená energia vyžiari vo forme fotónu s energiou W= h.v = Wg spontánnou emisiou.
Rekombinácia nosičovdochádza za určitú strednú dobu nazývanú doba životnosti nosiča.[9.3]