V ustálenom stave, keď pre rýchlosť rekombinácie r a generácie g platí r = g, môžeme pre koncentráciu generovaných elektrónov n za jednotku času písať:
,
(9.3)
kde η je kvantová účinnosť, Popt je výkon dopadajúceho svetla, a τnn je doba života elektrónov. Prúd fotorezistora je daný Ohmovým zákonom
,(9.4)
kde po dosadení za n dostaneme
,(9.5)
Ak označíme I0 = e.η.(Popt/hv) ako primárny fotoprúd, môžeme zaviesť zosilnenie fotorezistora I/I0, ktoré udáva, koľko elektrónov preteká medzi elektródami vďaka jednému vybudenému elektrónu.
Pre zvýšenie citlivosti preto výrobcovia zvyšujú hodnotu τn, a to výrobou, čo najväčšej dĺžky kontaktu d a najkratšej vzdialenosti elektród l.
Výsledkom je hrebeňová štruktúra oboch kontaktov na povrchu vrstvy CdS.[9.2]