Vplyvom vonkajšieho napätia Uext dochádza ku zníženiu energetickej bariéry z hodnoty e.UD na e.(UD - Uext) a zúženie OPN.
Znížením energetickej bariéry vzniká injekcia dier do oblasti N.
V oblasti N sa injektované diery stanú minoritnými a na určitej vzdialenosti zrekombinujú s majoritnými elektrónmi, ktoré pritekajú v opačnom smere a ktorých je rádovo viac.
Koncentrácia dier v smere do polovodiča typu N bude teda ubúdať so vzdialenosťou od prechodu a kvôli vzniknutému koncentračnému gradientu sa budú diery ďalej pohybovať difúziou.
Prúd dier ,ktoré zrekombinovali v oblasti N s elektrónmi, je preberaný prúdom elektrónov pritekajúcich v opačnom smere.
Analogickým spôsobom prebieha transport elektrónov vo vodivostnom pásme, avšak opačným smerom.
Celkový prúd je tvorený súčtom prúdov elektrónov a dier.Keďže P-N prechod pri tejto polarite vonkajšieho napätia prepúšťa veľké množstvo elektrónov a dier, tečie diódou veľký prúd.