Vznikajú pri nanášaní vrstvy kovu na polovodič pri výrobe prechodu kov- polovodič. Na povrchu sú voľné väzby valenčných elektrónov a na ne naviazané štrukturálne a chemické poruchy. Príkladom je rýchlo vznikajúca tenká vrstva SiO₂. To spôsobuje, že výška bariéry sa líši od teoretickej hodnoty. Presnú hodnotu výšky bariéry môžeme získať jedine meraním.