Kapacita Cdif je príčinou vzniku kapacity diódy v priepustnom smere. Cdif je definovaná zmenou náboja minoritných nosičov so zmenou napätia diódy.
Ak sa má periodicky meniť na dióde napätie v priepustnom smere z 0,69 na 0,7 V a späť, musí sa meniť koncentrácia difundujúcich minoritných elektrónov a dier. Keďže kapacita sa rastie do vysokých hodnôt, obmedzuje tým šírku frekvenčného pásma diódy.
Keďže energetická bariéra oddeľuje od seba nepohyblivé polarizované ionizované donory a akceptory, umožňuje tak vznik bariérovej kapacite Cbar, ktorú môžeme odvodiť zo zväčšovania (zmenšovania ) hrúbky OPN s rastúcim (klesajúcim) napätím.